[063] Industrie Briefing - EUV im Fokus

Episode von EUV im Fokus von EUV The Focal Point - Team · 14. September 2026 · 23 min

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Für die Einführung von High-NA EUV gibt es jetzt klarere Zeitmarken: TSMC will 2030 in die Volumenfertigung einsteigen, während Samsung 2028 auf fortschrittliche DRAM-Produktion abzielt. Intels neue Angabe von mehr als einer Million Wafern und imecs Ergebnisse mit chemisch verstärkten Resists zeigen, dass es in der nächsten Phase zunehmend darum geht, Kosten und Integrationsrisiken im Ökosystem zu reduzieren, statt nur nachzuweisen, dass der Scanner drucken kann.

Key takeaways:

- TSMC beabsichtigt, High-NA EUV ab 2030 in der Volumenfertigung fortschrittlicher Nodes einzusetzen.

- ASML und TSMC planen bis 2031 eine Pilotlinie für 12-Zoll-Photomasken und bis 2033 einen Pfad zur Produktionsreife für fortschrittliche Nodes.

- Samsung plant, High-NA EUV bis 2028 in die zukünftige DRAM-Volumenfertigung einzuführen, und schließt sich der 12-Zoll-Maskeninitiative an.

- Reuters berichtet, dass auch SK hynix ab 2028 High-NA in der Produktion einsetzen will; Micron hat Systeme bestellt, aber noch kein Produktionsdatum genannt.

- Intel Foundry und ASML zufolge wurden inzwischen mehr als eine Million Wafer mit High-NA bearbeitet, einschließlich Zertifizierung, Forschung und Entwicklung sowie ausgewählter Panther-Lake-Schichten in der Volumenfertigung.

- Imec demonstrierte CAR-basiertes High-NA-Single-Patterning bis hinunter zu 22-nm-Pitch-Linien und 28-nm-Center-to-Center-Vias für logikrelevante Strukturen.

- Das imec-Ergebnis deutet darauf hin, dass etablierte chemisch verstärkte Resist-Technologie für mehrere kritische A14/A10-Schichten nutzbar bleiben kann und damit den Integrationsaufwand in der frühen Einführung reduziert.

- Samsung und SK hynix lehnten eine vorgeschlagene Vorauszahlung von 25 Billionen Won zur Finanzierung der Strominfrastruktur geplanter koreanischer Halbleiter-Megacluster ab; damit bleibt eine wichtige Frage zur Kapazitätsbereitstellung offen.

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