[058] Industrie Briefing - EUV im Fokus

Episode von EUV im Fokus von EUV The Focal Point - Team · 18. August 2026 · 20 min

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Samsungs überarbeitete Foundry-Roadmap verortet High-NA-EUV ungefähr bei der 1-Nanometer-Klasse im Jahr 2030 und verlängert zugleich die wirtschaftliche Nutzungsdauer der Low-NA-EUV-Plattform. Gleichzeitig zeigen Rekordausgaben für Halbleiterausrüstung, neue Eigenkapitalfinanzierungen und Packaging-Investitionen, dass es im wirtschaftlichen Wettbewerb immer stärker darum geht, Kapital über das gesamte Fertigungssystem hinweg richtig zu takten, statt lediglich ein einzelnes neues Werkzeug zuerst einzuführen.

Kernaussagen

- Samsung hat SF1.4 laut Berichten vom Zieljahr 2027 auf 2029 verschoben und plant den Einsatz von High-NA-EUV bei der 1-Nanometer-Klasse ungefähr ab 2030.

- Die Samsung-Roadmap deutet darauf hin, dass SF1.4+ weiterhin Low-NA-EUV nutzt, während kurzfristig Ressourcen auf die SF2-Familie konzentriert werden.

- Applied Materials meldete für das dritte Geschäftsquartal 2026 einen Rekordumsatz von 9,12 Milliarden US-Dollar, 25 % mehr als im Vorjahr, und stellte für das vierte Quartal etwa 10,25 Milliarden US-Dollar plus/minus 500 Millionen in Aussicht.

- Applied Materials erhöhte seine Wachstumserwartung für Advanced Packaging im Kalenderjahr 2026 auf mehr als 70 % und bestätigt damit das breitere Equipment-Signal, das im Ausblick vom 4. August beobachtet wurde.

- Intel erhöhte sein geplantes Aktienangebot von 15 auf 20 Milliarden US-Dollar und erwartet rund 19,7 Milliarden US-Dollar Nettoerlös; die Mittel können unter anderem für Investitionen und Working Capital verwendet werden.

- TSMC genehmigte Kapitalmittel von rund 29,44 Milliarden US-Dollar für fortschrittliche Prozesstechnologien, Advanced Packaging, Spezialkapazitäten, Fabriken und Versorgungssysteme.

- TSMC und Sony unterzeichneten eine verbindliche Vereinbarung für ein Joint Venture für Bildsensoren der nächsten Generation in Kumamoto; die Volumenproduktion ist für 2029 geplant.

- SPIL hat laut TrendForce den Grundstein für ein Werk in Douliu mit einem Investitionsvolumen von knapp 100 Milliarden Neuen Taiwan-Dollar gelegt, das CoWoS-Kapazität aufbauen und 2028 den ersten Betrieb aufnehmen soll.

- Nanya Technology erklärt, mögliche Standorte für eine Expansion zu prüfen, hat aber noch keine Entscheidung über die gemeldeten neuen Fabriken in Yunlin und Pingtung getroffen.

- Der Druck der US-Exportpolitik erreicht zunehmend auch Foundries selbst, da Abgeordnete eine strengere Prüfung von Aufträgen für fortschrittliche Chips fordern, die indirekt sanktionierten chinesischen Unternehmen dienen könnten.

Glossar

Extreme Ultraviolet (EUV) — Lithografie mit 13,5-Nanometer-Licht für kritische Strukturierungsschritte an fortschrittlichen Halbleiterknoten.

High Numerical Aperture (High-NA) EUV — Die neuere EUV-Plattform für engere kritische Strukturen und den selektiven Einsatz in künftigen Prozessgenerationen.

Low Numerical Aperture (Low-NA) EUV — Die etablierte 0,33-NA-EUV-Plattform, die heute breit in fortschrittlicher Logik- und Speicherfertigung eingesetzt wird.

SF2 — Samsungs Foundry-Prozessfamilie der 2-Nanometer-Klasse.

SF1.4 — Samsungs Prozessgeneration der 1,4-Nanometer-Klasse, die nun für 2029 berichtet wird.

Intel 14A — Intels nächste Foundry-Prozessplattform nach Intel 18A.

CoWoS — Chip on Wafer on Substrate, ein Advanced-Packaging-Verfahren für große KI-Beschleuniger und die Integration von HBM.

HBM — High Bandwidth Memory, gestapelter Speicher für fortschrittliche KI- und High-Performance-Computing-Prozessoren.

DRAM — Dynamic Random-Access Memory, die flüchtige Speichertechnologie hinter klassischen Speicherprodukten und HBM.

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