[056] Industrie Briefing - EUV im Fokus

Episode von EUV im Fokus von EUV The Focal Point - Team · 10. August 2026 · 10 min

Dieser Beitrag wurde mithilfe von KI erstellt. Bitte überprüfen Sie die Informationen, wenn Sie sie als Grundlage für Entscheidungen verwenden möchten.

Nanya Technology hat den Ausbau von EUV-Speicherkapazität in einen finanzierten Fab-Zeitplan überführt, während für TeraFab nun ein bestätigter Standort in Texas und eine erste Investitionssumme vorliegen. AMD und TSMC liefern neue Nachfragesignale, und die berichteten Tests chinesischer Anlagen durch Samsung und SK hynix zeigen, wie Exportkontrollen die Qualifizierung von Fertigungsequipment auch außerhalb der Lithografie verändern können.

Wichtigste Erkenntnisse

- Nanya genehmigte für Fab 5A Investitionen von bis zu 346,6 Milliarden NT$ für 2026 bis 2029, einschließlich EUV-Equipment.

- Fab 5A ist für 45.000 Waferstarts pro Monat ausgelegt; für die erste Ausbaustufe sind 35.900 WSPM vorgesehen.

- Nanya plant den Wafer-Start in der zweiten Jahreshälfte 2027; für 2028 sind 30.000 WSPM und für 2029 35.900 WSPM vorgesehen.

- SpaceX und Tesla nannten Grimes County in Texas als Standort für TeraFab und kündigten eine Anfangsinvestition von 16,8 Milliarden US-Dollar an.

- Für TeraFab sind weiterhin keine EUV-Scannerzahl, Maskenstrategie, detaillierter Prozessablauf oder öffentlicher Zeitplan für die Produktionsqualifizierung bekannt.

- AMD meldete für das zweite Quartal 2026 einen Umsatz von 11,5 Milliarden US-Dollar; der Data-Center-Umsatz lag bei 6,7 Milliarden US-Dollar und damit 107 Prozent über dem Vorjahr.

- TSMC meldete für Juli 2026 einen Umsatz von 467,58 Milliarden NT$, 44,7 Prozent mehr als im Vorjahr.

- Reuters berichtete über Evaluierungen von AMEC-Ätzanlagen durch Samsung und SK hynix; beide Unternehmen bestritten Tests von AMEC-Anlagen für den Einsatz in China, und es wurde keine Entscheidung über einen breiten Einsatz gemeldet.

Glossar

Extreme Ultraviolet (EUV) — Fortschrittliche Lithografie mit 13,5-Nanometer-Licht für kritische Strukturierungsschritte in der Halbleiterfertigung.

Dynamic Random-Access Memory (DRAM) — Flüchtiger Speicher, der breit in Servern, PCs, Mobilgeräten und KI-Systemen eingesetzt wird.

Waferstarts pro Monat (WSPM) — Kennzahl für Fab-Kapazität, die angibt, wie viele Wafer pro Monat in die Fertigung eingehen.

1C / 1D / 1E DRAM — Aufeinanderfolgende DRAM-Prozessgenerationen der 10-Nanometer-Klasse in Nanyas Roadmap.

Investitionsausgaben (Capex) — Ausgaben für langlebige Fertigungsanlagen wie Fabs und Produktionsequipment.

Ätzen — Halbleiterprozess, bei dem Material selektiv entfernt wird, um Strukturen in darunterliegende Schichten zu übertragen.

Maskenstrategie — Planung der Fotomasken und Strukturierungsschritte, die zur Fertigung eines Chipdesigns eingesetzt werden.

Prozessablauf — Geordnete Abfolge der Fertigungsschritte zum Aufbau von Halbleiterbauelementen.

Weitere Episoden von „EUV im Fokus“

Alle Episoden von EUV im Fokus · Mehr Technologie-Podcasts